Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire

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dc.contributor.author Zaluzhnyy, Ivan A.
dc.date.accessioned 2022-07-18T11:42:51Z
dc.date.available 2022-07-18T11:42:51Z
dc.date.issued 2021
dc.identifier.issn 2076-3417
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10900/129556
dc.language.iso en en
dc.publisher Basel de_DE
dc.relation.uri http://dx.doi.org/10.3390/app11209419
dc.subject.ddc 540 de_DE
dc.subject.ddc 600 de_DE
dc.subject.ddc 530 de_DE
dc.title Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire de_DE
dc.type Article de_DE
utue.quellen.id 20220404000000_01030
utue.personen.roh Lazarev, Sergey
utue.personen.roh Kim, Young Yong
utue.personen.roh Gelisio, Luca
utue.personen.roh Bi, Zhaoxia
utue.personen.roh Nowzari, Ali
utue.personen.roh Zaluzhnyy, Ivan A.
utue.personen.roh Khubbutdinov, Ruslan
utue.personen.roh Dzhigaev, Dmitry
utue.personen.roh Jeromin, Arno
utue.personen.roh Keller, Thomas F.
utue.personen.roh Sprung, Michael
utue.personen.roh Mikkelsen, Anders
utue.personen.roh Samuelson, Lars
utue.personen.roh Vartanyants, Ivan A.
dcterms.isPartOf.ZSTitelID Applied Sciences - Basel de_DE
dcterms.isPartOf.ZS-Issue 20 de_DE
dcterms.isPartOf.ZS-Volume 11 de_DE
utue.fakultaet 07 Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät


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