Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire

DSpace Repositorium (Manakin basiert)

Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire

Autor(en): Lazarev, Sergey; Kim, Young Yong; Gelisio, Luca; Bi, Zhaoxia; Nowzari, Ali; Zaluzhnyy, Ivan A.; Khubbutdinov, Ruslan; Dzhigaev, Dmitry; Jeromin, Arno; Keller, Thomas F.; Sprung, Michael; Mikkelsen, Anders; Samuelson, Lars; Vartanyants, Ivan A.
Tübinger Autor(en):
Zaluzhnyy, Ivan A.
Erschienen in: Applied Sciences - Basel (2021), Bd. 11, H. 20
Verlagsangabe: Basel
Sprache: Englisch
Referenz zum Volltext: http://dx.doi.org/10.3390/app11209419
ISSN: 2076-3417
DDC-Klassifikation: 540 - Chemie
600 - Technik
530 - Physik
Dokumentart: Wissenschaftlicher Artikel
Zur Langanzeige

Das Dokument erscheint in: