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| dc.contributor | Eberhard Karls Universität Tübingen | de_DE |
| dc.contributor.author | Bonanati, Peter | de_DE |
| dc.date.accessioned | 2020-12-15T09:16:10Z | |
| dc.date.available | 2020-12-15T09:16:10Z | |
| dc.date.issued | 2020 | de_DE |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10900/110673 | |
| dc.language.iso | en | |
| dc.publisher | Tübingen | de_DE |
| dc.relation.uri | http://dx.doi.org/10.15496/publikation-50185 | de_DE |
| dc.title | A parametrized numerical model to simulate the semiconductor influence of thick film metal oxide gas sensors | de_DE |
| dc.type | PhDThesis | de_DE |
| utue.kommentar.intern | Erscheint auch als Online-Ausgabe | de_DE |
| utue.personen.roh | Bonanati, Peter | de_DE |
| utue.publikation.seitengesamt | 102, 1 Seiten | de_DE |
| utue.titel.verfasserangabe | vorgelegt von Peter Bonanati | de_DE |
| utue.publikation.abrufzeichen | tdis | de_DE |
| utue.publikation.swbdatum | 2011 | de_DE |
| utue.publikation.fachbereich | 44 | de_DE |
| utue.publikation.fakultaet | 7 Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät | de_DE |
| utue.artikel.ppn | 1737569604 | de_DE |
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