A parametrized numerical model to simulate the semiconductor influence of thick film metal oxide gas sensors

Autor(en):

Bonanati, Peter

Tübinger Autor(en):

Sonstige Beteiligte:

Eberhard Karls Universität Tübingen

Erscheinungsjahr:

2020

Verlagsangabe:

Tübingen

Sprache:

Englisch

Referenz zum Volltext:

Dokumentart:

Dissertation

Seitenzahl:

102, 1 Seiten

Verbund-Nachweis:

Kommentar:

Erscheint auch als Online-Ausgabe

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