Silizium-basierte Lichtemitter : Neue Möglichkeiten für Lab-on-Chip Systeme?

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dc.contributor Forschungszentrum Rossendorf, Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, PF 510119, D-01314 Dresden de_CH
dc.contributor Institut für Physikalische und Theoretische Chemie de_DE
dc.contributor.author Gebel, T. de_DE
dc.contributor.author Rebohle, L. de_DE
dc.contributor.author Howitz, S. de_DE
dc.contributor.author Borany, J. von de_DE
dc.contributor.author Skorupa, W. de_DE
dc.contributor.other Gauglitz, Günter de_DE
dc.date.accessioned 2001-11-13 de_DE
dc.date.accessioned 2014-03-18T10:09:32Z
dc.date.available 2001-11-13 de_DE
dc.date.available 2014-03-18T10:09:32Z
dc.date.issued 2001 de_DE
dc.identifier.other 099584220 de_DE
dc.identifier.uri http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:21-opus-3976 de_DE
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10900/48287
dc.description.abstract Die Realisierung von Lichtemittern in herkömmlicher Siliziumtechnologie ist ein großer Traum der Mikroelektronik. Aufgrund seines indirekten Bandgaps ist Silizium prinzipiell schlecht als Lichtemitter geeignet. Teure und aufwendige andere Verfahren und Werkstoffe (z.B. Verbindungshalbleiter wie GaAs, GaN, SiC usw.) fanden Verwendung für Leuchtdioden und werden heute kommerziell eingesetzt. Diese sind jedoch nicht in herkömmliche Silizium-Chipstrukturen integrierbar. Die Integration in die Silizium – Technologie ist jedoch von eminenter Bedeutung für die kostengünstige Herstellung von Emitterarrays, die neben der Nutzung für integrierte Systeme der Mikrosystemtechnik und der optischen Informationsübertragung auf und zwischen Chips auch zur Lumineszenzanregung von Farbstoffmolekülen in Lab-on-Chip Systemen dienen können. Seit Anfang der 90er Jahre kann durch modifizierte Schichten und Strukturen im Nanometerbereich die bisherige Beschränkung des Siliziums überwunden werden. So können in Siliziumdioxid eingebettete Nanostrukturen aufgrund ihrer speziellen Eigenschaften zur Lumineszenz angeregt werden. In den hier beschriebenen Untersuchungen werden Nanostrukturen durch Ionenimplantation in thermisch auf einen Siliziumwafer (100, n-Typ) aufgewachsene SiO2 – Schichten erzeugt. Im Anschluß an die Ionenimplantation werden durch eine Temperung Strahlenschäden ausgeheilt und die Clusterbildung angeregt. Die so erhaltenen Nanocluster weisen Größen von 4 ... 6 nm auf. Als Frontkontakt der Lumineszenzstrukturen wird eine aufgesputterte transparente Indium-Zinnoxid (ITO) - Schicht lithographisch in kreisrunde Flächen von 0.2mm2 strukturiert. Der Rückseitenkontakt wird durch Al - Beschichtung der Wafersrückseite hergestellt. de_DE
dc.language.iso de de_DE
dc.publisher Universität Tübingen de_DE
dc.rights ubt-nopod de_DE
dc.rights.uri http://tobias-lib.uni-tuebingen.de/doku/lic_ubt-nopod.php?la=de de_DE
dc.rights.uri http://tobias-lib.uni-tuebingen.de/doku/lic_ubt-nopod.php?la=en en
dc.subject.classification Biosensor , Silicium de_DE
dc.subject.ddc 540 de_DE
dc.subject.other Lab-on-Chip , Lichtemitter de_DE
dc.title Silizium-basierte Lichtemitter : Neue Möglichkeiten für Lab-on-Chip Systeme? de_DE
dc.type Other de_DE
dc.date.updated 2010-02-11 de_DE
utue.publikation.fachbereich Sonstige - Chemie und Pharmazie de_DE
utue.publikation.fakultaet 7 Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät de_DE
dcterms.DCMIType Text de_DE
utue.publikation.typ report de_DE
utue.opus.id 397 de_DE
utue.publikation.source http://barolo.ipc.uni-tuebingen.de/biosensor2001/ de_DE

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