On the Origin of Gap States in Molecular Semiconductors-A Combined UPS, AFM, and X-ray Diffraction Study

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On the Origin of Gap States in Molecular Semiconductors-A Combined UPS, AFM, and X-ray Diffraction Study

Autor(en): Hagenlocher, Jan; Scheffczyk, Niels; Broch, Katharina; Duva, Giuliano; Russegger, Nadine; Egenberger, Lisa; Banerjee, Rupak; Kera, Satoshi; Schreiber, Frank; Hinderhofer, Alexander
Tübinger Autor(en):
Scheffczyk, Niels
Broch, Katharina
Duva, Giuliano
Rußegger, Nadine
Egenberger, Lisa
Schreiber, Frank
Hinderhofer, Alexander
Hagenlocher, Jan
Erschienen in: Journal of Physical Chemistry C (2021), Bd. 125, H. 32, S. 17929-17938
Verlagsangabe: Amer Chemical Soc
Sprache: Englisch
Referenz zum Volltext: http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpcc.1c03096
ISSN: 1932-7455
DDC-Klassifikation: 540 - Chemie
600 - Technik
Dokumentart: Wissenschaftlicher Artikel
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